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Ram Stress Test是一個(gè)維修級(jí)內(nèi)存檢測(cè)工具,能夠檢測(cè)內(nèi)存有哪一塊顆粒損壞,PCB板有沒(méi)有短路或虛焊;Ram Stress Test 能檢測(cè)SD內(nèi)存,也能檢測(cè)DDR內(nèi)存,是專業(yè)的內(nèi)存維修工具,完全可以取代昂貴的內(nèi)存檢測(cè)卡。
說(shuō)明1
下載后解壓然后用UltraISO制作到U盤啟動(dòng),不依賴任何操作系統(tǒng),只要BIOS能識(shí)別的內(nèi)存它都能檢測(cè);具體操作請(qǐng)參閱包內(nèi)的操作說(shuō)明,包內(nèi)軟件是用Nero燒錄可啟動(dòng)光盤的軟盤鏡像文件。
Ram Stress Test是一款由美國(guó)Ultra-X公司開(kāi)發(fā)的內(nèi)存檢測(cè)測(cè)試評(píng)測(cè)軟件,它以前是專門為內(nèi)存生產(chǎn)廠家開(kāi)發(fā)制作的,后來(lái)流落到民間,深受廣大愛(ài)好者們的喜愛(ài)!
說(shuō)明2
1、點(diǎn)不亮內(nèi)存的測(cè)試方法——很多內(nèi)存短路或者顆粒損壞后都不能點(diǎn)亮,點(diǎn)不亮的可以用一根好的內(nèi)存去帶動(dòng)它(可解決部分點(diǎn)不亮問(wèn)題)。必須SD的帶SD的,DDR的帶DDR的。本軟件會(huì)自動(dòng)跳過(guò)好的去檢測(cè)壞的那根。
2、發(fā)現(xiàn) ATS 選項(xiàng)錯(cuò)誤,在BIOS中,記憶體選項(xiàng)設(shè)成Auto時(shí),記憶體的CL=2,改成Manual,自設(shè)CL=2.5時(shí),上述選項(xiàng)才能通過(guò)。
3、程序執(zhí)行后,第一選項(xiàng)是測(cè)試物理內(nèi)存中基本內(nèi)存地址(<640K),第二項(xiàng)是擴(kuò)展內(nèi)存地址,第三項(xiàng)是測(cè)試CPU的 L2 cache。
4、軟件為光盤鏡像文件,用刻錄機(jī)做成成啟動(dòng)光盤(如需要軟盤版的請(qǐng)留言說(shuō)明),使用非常簡(jiǎn)易,電腦只要設(shè)定為軟、光盤啟動(dòng),插入制作好的盤即可自動(dòng)運(yùn)行。它是一個(gè)獨(dú)立開(kāi)發(fā)的系統(tǒng),沒(méi)有依附任何作業(yè)系統(tǒng),相容于x86系列,只要BIOS認(rèn)的到的容量都能測(cè)!
5、可以測(cè)試SD及DDR內(nèi)存。
6、閃動(dòng)數(shù)字——0123456789ABCDEF0123456789ABCDEF 0123456789ABCDEF0123456789ABCDEF
依次代表內(nèi)存條的8顆顆粒。
從左到右橫著數(shù):0-7代表第1顆粒區(qū)域、8-F代表第2顆粒、0-7代表第3顆粒、8-F代表第4顆粒、0-7代表第5顆粒代、8-F代表第6顆粒、0-7代表第7顆粒、8-F代表第8顆粒
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